ISSIIS62C256AL/IS65C256AL是低功耗的,32768字8位CMOS靜態RAM。它是捏造的采用ISIS的高性能、低功耗CMOS技術。當CE為高（取消選擇）時，設備假定待機模式，功耗可以在CMOS輸入電平下降低到150微瓦（典型值）。使用活動的低芯片選擇（CE）輸入和有源低輸出啟用（OE）輸入。有效低寫入啟用（WE）控制內存的寫入和讀取。IS62C256AL/IS65C256AL與其他32Kx8 SRAM，封裝SOP或TSOP（I型）

IS62C256AL-45ULI特征

?接入時間：25 ns，45 ns

?低有功功率：200兆瓦（典型）

?低待機功率

-150微瓦（典型）CMOS待機

-15兆瓦（典型）運行

?全靜態操作：無時鐘或刷新必修的

?TTL兼容的輸入和輸出

?單5V電源

?無鉛可用

?可提供工業和汽車溫度

IS62C256AL-45ULI封裝SOP28圖

IS62C256AL-45TLI封裝TSOP28圖

IS62C256AL-45ULI溫度電壓圖

DESCRIPTION The ISSI IS62C256AL/IS65C256AL is a low power, 32,768 word by 8-bit CMOS static RAM. It is fabricated using ISSI's high-performance, low power CMOS technology. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down to 150 μW (typical) at CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using an active LOW Chip Select (CE) input and an active LOW Output Enable (OE) input. The active LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading of the memory. The IS62C256AL/IS65C256AL is pin compatible with other 32Kx8 SRAMs in plastic SOP or TSOP (Type I) package.

FEATURES

? Access time: 25 ns, 45 ns

? Low active power: 200 mW (typical)

? Low standby power

— 150 μW (typical) CMOS standby

— 15 mW (typical) operating

? Fully static operation: no clock or refresh

required

? TTL compatible inputs and outputs

? Single 5V power supply

? Lead-free available

? Industrial and Automotive temperatures available

ISSIIS62C256AL/IS65C256AL是低功耗的,32768字8位CMOS靜態RAM。它是捏造的采用ISIS的高性能、低功耗CMOS技術。當CE為高（取消選擇）時，設備假定待機模式，功耗可以在CMOS輸入電平下降低到150微瓦（典型值）。使用活動的低芯片選擇（CE）輸入和有源低輸出啟用（OE）輸入。有效低寫入啟用（WE）控制內存的寫入和讀取。IS62C256AL/IS65C256AL與其他32Kx8 SRAM，封裝SOP或TSOP（I型）

IS62C256AL-45ULI特征

?接入時間：25 ns，45 ns

?低有功功率：200兆瓦（典型）

?低待機功率

-150微瓦（典型）CMOS待機

-15兆瓦（典型）運行

?全靜態操作：無時鐘或刷新必修的

?TTL兼容的輸入和輸出

?單5V電源

?無鉛可用

?可提供工業和汽車溫度

IS62C256AL-45ULI封裝SOP28圖

IS62C256AL-45TLI封裝TSOP28圖

IS62C256AL-45ULI溫度電壓圖